스테레오·바이앰프·브리지
한 대의 스테레오 운용과 두 대를 이용한 확장 구성을 지원한다.
Empire Stereo GaNFET Amplifier
엠파이어 스테레오 GaNFET 앰플리파이어
제품 개요
Empire Stereo GaNFET Amplifier는 교체형 GaNFET 출력 모듈과 800W 선형 토로이달 전원부를 하프랙 섀시에 담은 Empire 계열 파워앰프다. 한 대로 200W/8Ω 스테레오 구동이 가능하고, 시스템을 확장할 때 바이앰프나 브리지 모드로 운용할 수 있다. RCA·XLR 입력과 23/29dB 선택형 게인으로 프리앰프 및 스피커 구성에 맞춘다.
기본 정보
제품 유형파워앰프
증폭 방식TR / ClassD
채널 구성2채널
전원 규격AC 100–240V
제조국미국
제품 등급플래그십
가격9,995원
판매 상태판매
핵심 스펙
출력200W ×2/8Ω, 400W ×2/4Ω; 브리지 400W/8Ω, 700W/4Ω
주파수 응답미표기
THD0.005% 평균
댐핑 팩터미표기
입력XLR ×1조, RCA ×1조
라인 출력해당 없음
스피커 출력바인딩 포스트 ×1조
전원 트랜스포머800W 저잡음 토로이달
크기216 × 125 × 356mm
무게14kg
기능지원
DAC 내장미지원
네트워크미지원
포노앰프미지원
무선 연결미지원
XLR 입력지원
바이패스미지원
헤드폰 출력미지원
주요 기능
선택형 게인
23dB와 29dB 입력 게인을 시스템에 맞게 선택한다.
모듈 교체 구조
GaNFET 파워 모듈을 플러그인 방식으로 교체할 수 있다.
설계 특징
GaNFET 출력단
고속 질화갈륨 트랜지스터 기반 ClassD 출력 모듈을 사용한다.
대용량 선형 전원
800W 저잡음 토로이달 전원부가 출력 모듈에 전류를 공급한다.
일체형 알루미늄 섀시
단일 알루미늄 블록을 가공한 섀시로 회로를 지지한다.
사운드 성향
Empire Stereo GaNFET Amplifier는 빠르고 정밀한 과도 응답에 부드러운 질감과 풍부한 중역을 결합한 성향이다. 저역은 출력 임피던스가 낮은 GaNFET 출력단과 800W 선형 전원부를 바탕으로 깊게 내려가면서도 팽팽하게 제어된다. 중역은 보컬과 기타의 온기와 실체감을 충분히 살리고, 고역은 세부를 선명하게 펼치면서도 얇거나 날카롭게 치우치지 않는다. 낮은 배경 잡음 위에 미세한 잔향과 공간 정보를 드러내며, 음상은 입체적인 깊이와 분명한 위치를 갖는다. 순간적인 어택은 빠르지만 음악의 흐름을 조각내지 않고, 큰 다이내믹에서도 음색과 무대의 안정성을 유지한다. 한 대의 스테레오 운용에서는 중·대형 스피커에 충분한 제어력을 제공하고, 두 대를 브리지 구성하면 넓은 공간과 저감도 스피커에서 스케일과 헤드룸을 더 확보할 수 있다.
설계 특징
구동력
4Ω에서 두 배로 증가하는 정격 출력으로 중대형 패시브 스피커를 구동한다.
저임피던스
브리지 구성에서는 스피커 임피던스와 방열 조건을 확인한다.
추천 스피커 특성
출력 여유와 저잡음 특성을 활용할 수 있는 스피커에 적합하다.
추천 사용자
= 잘 맞는 경우
- 플래그십 ClassD 파워앰프를 원하는 사용자
- 바이앰프 또는 브리지 확장을 계획하는 사용자
- 4Ω 부하에서 충분한 출력 여유가 필요한 사용자
≠ 덜 맞는 경우
- 소형 경량 앰프를 원하는 사용자
- 프리앰프 기능이 필요한 사용자
- 저출력 고효율 스피커만 운용하는 사용자