내장 액티브 저역부
각 스피커에 160W 앰프와 6.5인치 저역 드라이버를 내장해 메인 앰프의 저역 부담을 줄이고 저역 레벨을 독립 조절한다.
RT1000i는 당시 Polk Audio RT Series의 파워드 타워 모델로, 별도 서브우퍼 없이 저역을 확장하는 구성을 지향한다. 160W 내장 앰프로 구동하는 6.5인치 저역 드라이버와 6.5인치 미드·베이스, 1인치 돔 트위터를 조합했으며, 상위 RT2000i는 듀얼 8인치 저역 드라이버와 200W 내장 앰프를 사용한다.
Dynamic Balance 드라이버, Power Port, HVCD 밴드패스 저역부, 비대칭 캐비닛 보강을 적용했다. 직전 RT1000p 대비 미드·베이스 드라이버와 트위터를 새로 다듬은 i 세대 모델이다.
각 스피커에 160W 앰프와 6.5인치 저역 드라이버를 내장해 메인 앰프의 저역 부담을 줄이고 저역 레벨을 독립 조절한다.
고자속·고질량 구동계를 특수 밴드패스 인클로저와 결합한 저역 설계이다.
포트 출구의 공기 난류를 줄이는 설계로 저역 포트의 동작을 보완한다.
비대칭 내부 보강으로 패널 공진을 억제하고, 안티디프랙션 배플과 그릴로 반사를 줄이도록 구성했다.
점퍼를 유지한 스피커 레벨 연결, 프리아웃을 이용한 라인 레벨 연결, 서브우퍼 출력 연동을 지원한다.
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스피커 간격과 동일
정삼각형 배치를 출발점으로 삼고 실제 청취 위치에서 간격을 조정한다.
청취 거리와 동일
두 스피커와 청취 위치가 정삼각형에 가깝게 형성되도록 배치한다.
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필요 시 약한 토인
스피커 간격이 청취 거리보다 넓어질 때 중앙 음상을 보강하도록 안쪽으로 돌린다.
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보통
일반 스피커 케이블 연결 외에 내장 저역 앰프용 AC 전원이 필요하다. 메인 앰프는 권장 30–250W/채널 범위에서 선택한다.
조절 필요
벽에 가까워질수록 저역량이 증가한다. 후면 서브우퍼 레벨 노브를 이용해 저역을 맞춘다.
전문 청취 평가에서는 이전 세대보다 중역이 더 깨끗하고 자연스러우며, 고역은 한층 매끈하고 개방적으로 들린다는 의견이 확인된다. 안티디프랙션 배플과 트라이-라미네이트 돔 트위터의 조합은 중앙 음상과 공간의 펼침을 중시한 성향으로 이어진다. 내장 저역부는 일반적인 소형 패시브 타워보다 더 넓은 저역 확장과 레벨 조정의 유연성을 제공한다. 다만 저역의 절대적인 단단함과 중역의 미세 투명도는 한계로 지적되기도 하며, 저역 레벨과 벽 거리 설정에 따라 균형의 변화가 크다.